삼성전자가 11일 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트(Gb) 낸드보다 용량을 2배 늘린 '256기가비트 3차원 V낸드' 양산에 성공했다고 밝혔다.

이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)'을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 '3세대(48단) V낸드 기술'이 적용됐다. 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.

'256기가비트 V낸드'는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다.

아울러 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있다.

이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 '셀(Cell)'이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 각 '셀(Cell)'마다 3개의 데이터 (3비트)를 저장할 수 있다. 이에 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓰는 것이 특징이다.

이번 256기가비트 V낸드는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 누릴 수 있다.

특히 '3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조'와 '48단 수직 적층 공정', '3비트 저장기술'을 적용, 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르게 저장하고, 소비 전력량을 30% 이상 줄였다.

아울러 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높였다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"고 말했다.  

한편 삼성전자는 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대 하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다.