[이코노뉴스=이종수 기자] 삼성전자는 8일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 '플래시 메모리 서밋 2017(Flash Memory Summit)'에서 세계 최대용량의 V낸드와 차세대 SSD 솔루션을 선보였다고 밝혔다.

플래시 메모리 서밋은 매년 미국에서 개최되는 세계 최대 플래시 메모리 업계 콘퍼런스다.

삼성전자는 이번 서밋에서 △세계 최대 용량의 '1Tb V낸드' △서버 시스템의 집적도를 향상 시킬 수 있는 ' NGSFF(Next Generation Small Form Factor) SSD' △기존 SSD보다 성능을 획기적으로 향상시킨 'Z-SSD' △신개념 데이터 저장방식을 적용한 '키 밸류(Key Value) SSD' 등 혁신적인 V낸드 기반 신기술을 공개했다.

특히 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)' 용량을 기존(512Gb)보다 2배 늘린 '1Tb 낸드'를 공개했다.

'1Tb 낸드'는 16단을 적층해 하나의 단품 패키지로 2TB를 만들 수 있어, SSD의 용량을 획기적으로 늘릴 수 있다. 삼성전자는 1Tb V낸드가 적용된 최대용량의 SSD 제품을 2018년에 본격 출시할 예정이다.

또 서버 시스템 내 저장장치의 공간활용도를 극대화 할 수 있는 신규 SSD 규격인 'NGSFF SSD'를 발표했다. 기존 M.2 SSD로 구성된 시스템을 'NGSFF SSD'로 대체하면 동일 시스템 공간 기준 저장용량을 4배까지 향상 시킬 수 있다.

이날 함께 발표한 'Z-SSD'는 최적화된 동작회로를 구성해 성능을 극대화한 하이엔드 SSD제품이다.

기존 NVMe SSD 대비 읽기 응답속도가 7배 빠른 15㎲로, 읽기와 쓰기를 반복하는 시스템 환경에서는 최대 12배까지 향상된 응답속도 구현이 가능하다.

삼성전자는 실시간 빅데이터 분석, 고성능 서버용 캐시 등 빠른 응답성이 요구되는 분야에 'Z-SSD'가 최적의 솔루션이 될 것이라고 밝혔다.

비정형 데이터 저장에 특화된 신개념 'Key Value SSD'도 함께 선보였다.

'Key Value SSD' 기술을 적용하면 별도의 전환 과정 없이 다양한 데이터를 있는 그대로 저장할 수 있어 시스템의 데이터 입출력 속도를 높일 수 있고, 또한 SSD의 수명도 향상시킬 수 있다.

삼성전자 진교영 메모리사업부장은 "지속적인 V낸드 솔루션 개발을 통해, 고객 가치를 극대화 하고, 향후 AI, 빅데이터 등 미래 첨단 반도체 수요에 선제적으로 대응해 나갈 것"이라고 말했다.